Descrizione
250GB mSATA, SATA 6Gb/s, 3D V-NAND a 32 strati, 540 MB/s Lettura, 520 MB/s ScritturaChe cos’è la memoria 3D V-NAND e come si differenzia dalla tecnologia esistente?L’esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un’assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell’attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull’altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivaliGrazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L’850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale.**Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO)Con la modalità migliorata RAPID sei in pole positionAbilita la modalità Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati; infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance. Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).* Il miglioramento delle prestazioni può variare a seconda dell’hardware e della configurazione di sistema.Durabilità e affidabilità garantite, supportate dalla tecnologia V-NAND 3DRispetto alla generazione precedente 840 EVO*, l’850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW, con una garanzia di 5 anni leader nel mercato. L’850 EVO consente miglioramenti delle prestazioni fino al 30%**, dimostrandosi uno dei dispositivi per l’archiviazione più affidabili al mondo. .Efficienza energetica grazie alla V-NAND 3DL’850 EVO ha introdotto la modalità Sleep del dispositivo a 2mW e con la rivoluzionaria tecnologia 3D V-NAND (con consumi ridotti del 50% rispetto alla tecnologia planare 2D NAND), garantisce un incremento pari al 25% in termini di efficienza energetica nel corso delle operazioni di scrittura*.Tanti formati per tutte le esigenzeIl nuovo 850 EVO è ora compatibile con tutti i tuoi device: scopri il formato mSATA, snello e sottile, con interfaccia SATA. E’ perfetto per aumentare le prestazioni dei PC portatili ultra sottili.Sicurezza e protezione dei datiL’850 EVO è dotato delle più recenti tecnologie di crittografia basate su hardware. La tecnologia di crittografia AES 256 mette al sicuro i dati senza ridurre il livello delle prestazioni ed è conforme a TCG Opal 2.0. Inoltre è compatibile con l’e-drive IEEE1667 Microsoft in modo che i dati siano sempre protetti per la tua massima tranquillità.Dynamic Thermal GuardL’850 EVO include la protezione Dynamic Thermal Guard che tiene il tuo SSD al sicuro dal calore. La protezione Dynamic Thermal Guard controlla la temperatura di esercizio ottimale con una funzione che abbassa automaticamente la temperatura dell’SSD quando serve, proteggendo i tuoi dati e garantendoti la velocità di elaborazione che ti aspetti.Passa a un livello superioreIn tre semplici mosse, il software One-stop Install Navigator di Samsung ti consente facilmente di migrare tutti i dati e le applicazioni dall’archiviazione primaria esistente all’850 EVO. Il software Magicial Samsung ti consente anche di ottimizzare e gestire il tuo sistema per il tuo SSD.Sinergia dei componentiSamsung è l’unico marchio di SSD a progettare e produrre tutti i suoi componenti in-house consentendo la completa integrazione ottimizzata. Il risultato? Prestazioni incredibili, consumo energetico ridotto, memoria cache DRAM LPDDR2 fino a 1 GB ed efficienza energetica migliorata grazie al controller MEX / MGXSamsung 850 EVO mSATA 250GB. Capacità SSD: 250 GB, Interfaccia Solid State Drive (SSD): Mini-SATA, Velocità di lettura: 540 MB/s. Tensione di esercizio: 5 V. Larghezza: 30 mm, Profondità: 38,1 mm, Altezza: 50,8 mmPrestazioneCapacità SSD250 GBInterfaccia Solid State Drive (SSD)mini-SATAVelocità di lettura540 MB/sVelocità di scrittura520 MB/sVelocità di trasferimento dati6 Gbit/sLettura casuale (4KB)97000 IOPS (Operazioni di input/outputScrittura casuale (4KB)88000 IOPS (Operazioni di input/outputAlgoritmi di sicurezza supportati256-bit AESSupporto S.M.A.R.T.SiSupporto TRIMSiPrestazioneScrittura sequenzialeSiTempo medio tra guasti (MTBF)1500000 hClassificazione per TBW75Gestione energeticaTensione di esercizio5 VDimensioni e pesoLarghezza30 mmProfondità38,1 mmAltezza50,8 mmPeso9.07 gAltre caratteristicheInternoSi
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